记忆体控制方法与数位记忆体装置;MEMORY CONTROL METHOD AND DIGITAL MEMORY APPARATUS

摘要

一种记忆体控制方法，包括下列步骤：将一位元线设定为一第一电位位准，其中该位元线系耦接至一记忆体单元之一电阻元件，其中该电阻元件具有一第一电阻值或一第二电阻值；将一源极线设定为一第二电位位准，其中该源极线系藉由一存取电晶体选择性地耦接至该记忆体单元；施加一字元线信号，以提供跨越该电阻元件之一第一偏压电位，其中提供之该第一偏压电位系用于初始化该记忆体单元之一第一写入操作；以及在一可变时间后，解除该字元线信号，其中该可变时间系根据该第一写入操作期间通过该电阻元件之一电流之一侦测结果而决定。