成膜方法;FILM DEPOSITION METHOD

摘要

本发明之成膜方法，系对于形成有凹部之基板供给含矽气体使得含矽气体吸附于该基板上，并将所吸附之含矽气体以氧化气体来氧化，藉此于基板上形成氧化矽膜。即便以被供给含矽气体之基板的上方氛围的气相温度较含矽气体可分解之温度来得高温之方式来加热基板之情况，由于藉由从将含矽气体供给部与氧化气体供给部加以分离之分离区域所供给之惰性气体来维持于低温，故含矽气体不至在气相中分解而可吸附于基板。