| 发明名称 |
溅镀靶材、氧化物半导体薄膜及其等之制造方法 |
| 摘要 |
本发明之溅镀靶材包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)之氧化物，且含有In2O3(ZnO)n(n为2~20)所表示之同型结构化合物及Zn2SnO4所表示之尖晶石结构化合物。 |
| 申请公布号 |
TW201431792 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
| 申请号 |
TW102137810 |
申请日期 |
2013.10.18 |
| 申请人 |
出光兴产股份有限公司 |
发明人 |
江端一晃;但马望 |
| 分类号 |
C01G15/00(2006.01);C01G19/02(2006.01);C01G9/02(2006.01);C01F7/02(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/1368(2006.01) |
主分类号 |
C01G15/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
IDEMITSU KOSAN CO., LTD. 日本 |
