发明名称 |
用于较高效能及能量效率之具有解耦位元的非依电性多位准胞元记忆体;NON-VOLATILE MULTI-LEVEL-CELL MEMORY WITH DECOUPLED BITS FOR HIGHER PERFORMANCE AND ENERGY EFFICIENCY |
摘要 |
揭示一种非依电性多位准胞元(MLC)记忆体装置。该记忆体装置具有一阵列之非依电性记忆体胞元,一阵列之非依电性记忆体胞元,各个非依电性记忆体胞元储存多组位元。于该记忆体装置之一列缓冲器具有多个缓冲器部分,各个缓冲器部分储存得自该等记忆体胞元的一或多个位元及具有不同的读及写延迟及能量。 |
申请公布号 |
TW201432691 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
申请号 |
TW102146933 |
申请日期 |
2013.12.18 |
申请人 |
惠普发展公司有限责任合夥企业 |
发明人 |
穆拉黎曼哈 拿文;尹汉彬;乔皮 诺曼P |
分类号 |
G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C7/10(2006.01) |
主分类号 |
G11C13/00(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
主权项 |
|
地址 |
HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L. P. 美国 |