发明名称 |
Sputtering Target und Verfahren zur Herstellung |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Sputtering Target aus einer Mo-Legierung, die zumindest ein Metall der Gruppe 5 des Periodensystems enthält, wobei der mittlere Gehalt an Gruppe 5 Metall 5 bis 15 At% und der Mo-Gehalt ≥ 80 At% 5 betragen. Das Sputtering Target weist ein mittleres C/O Verhältnis in (At% I At%) von ≥ 1 auf. Die erfindungsgemäßen Sputtering Targets lassen sich durch Umformung herstellen und weisen ein verbessertes Sputterverhalten auf. |
申请公布号 |
AT13602(U3) |
申请公布日期 |
2014.08.15 |
申请号 |
AT20130000354U |
申请日期 |
2013.10.29 |
申请人 |
PLANSEE SE |
发明人 |
REINFRIED NIKOLAUS;SCHOBER MICHAEL;KNABL WOLFRAM;WINKLER JÖRG |
分类号 |
C23C14/34;C22C1/04;C22C27/02;C22C27/04 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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