发明名称 Sputtering Target und Verfahren zur Herstellung
摘要 Die Erfindung betrifft ein Sputtering Target aus einer Mo-Legierung, die zumindest ein Metall der Gruppe 5 des Periodensystems enthält, wobei der mittlere Gehalt an Gruppe 5 Metall 5 bis 15 At% und der Mo-Gehalt ≥ 80 At% 5 betragen. Das Sputtering Target weist ein mittleres C/O Verhältnis in (At% I At%) von ≥ 1 auf. Die erfindungsgemäßen Sputtering Targets lassen sich durch Umformung herstellen und weisen ein verbessertes Sputterverhalten auf.
申请公布号 AT13602(U3) 申请公布日期 2014.08.15
申请号 AT20130000354U 申请日期 2013.10.29
申请人 PLANSEE SE 发明人 REINFRIED NIKOLAUS;SCHOBER MICHAEL;KNABL WOLFRAM;WINKLER JÖRG
分类号 C23C14/34;C22C1/04;C22C27/02;C22C27/04 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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