发明名称 VERFAHREN ZUM FREILEGEN EINER SCHICHT
摘要 <p>Ein Verfahren zum Freilegen einer in einem Substrat vergrabenen Schicht über einen Graben mit isolierter Seitenwand und isoliertem Boden umfasst die Schritte des Aufbringens eines Oxids auf das Substrat und des anisotropischen Ätzens. Das Aufbringen des Oxids auf dem Substrat erfolgt zumindest in einem Bereich des Grabens, so dass das Oxid von einer Kante des Grabens in den Graben hineinragt. Das Hineinragen des Oxids schirmt beim anisotropischen Ätzen zumindest des isolierten Bodens des Grabens die isolierte Seitenwand des Grabens.</p>
申请公布号 DE102013202458(A1) 申请公布日期 2014.08.14
申请号 DE201310202458 申请日期 2013.02.14
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. 发明人 HACKER, ERWIN
分类号 H01L21/768;H01L21/283;H01L21/60 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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