| 摘要 |
Hartstoff-Schichtsystem, umfassend abwechselnd abgeschiedene Schichten A und B, wobei•die Schicht A die Zusammensetzung (Cr1-αXα)(BaCbN1-a-b-cOc)e aufweist, worin X ein, zwei oder mehr Element(e) ist, ausgewählt aus einer Gruppe, die Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, Al und Si umfasst, 0≤α≤0,9, 0≤a≤0,15, 0≤b≤0,3, 0≤c≤0,1, 0,2≤e≤1,1,•die Schicht B die Zusammensetzung B1-s-tCsNt, worin 0≤s≤0,25, (1-s-t)/t≤1,5, oder Si1-x-yCxNy, worin 0≤x≤0,25, 0,5≤(1-x-y)/y≤1,4, oder C1-uNu, worin 0≤u≤0,6, aufweist,•sich die Kristallstruktur der Schicht A von der Kristallstruktur der Schicht B unterscheidet,•die Dicke der Schicht A pro Schicht das Zweifache oder mehr der Dicke der Schicht B pro Schicht beträgt,•die Dicke der Schicht B pro Schicht 0,5 nm oder mehr beträgt und•die Dicke der Schicht A pro Schicht 200 nm oder weniger beträgt. |
