| 发明名称 | 制造碳化硅半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 在制造碳化硅半导体器件的方法中，通过向碳化硅层供应工艺气体同时加热所述碳化硅层来执行相对于碳化硅层的热蚀刻，所述工艺气体与碳化硅进行化学反应。通过热蚀刻在碳化硅层上形成碳膜(50)。碳化硅层被热处理，使得碳从碳膜(50)扩散进碳化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN103988310A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201280061374.3 | 申请日期 | 2012.11.27 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社;国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 | 发明人 | 日吉透;增田健良;畑山智亮 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：通过为碳化硅层供应能与碳化硅化学反应的工艺气体，同时加热所述碳化硅层，来热蚀刻所述碳化硅层，通过所述热蚀刻的步骤在所述碳化硅层上形成碳膜；以及向所述碳化硅层提供热处理，以使碳从所述碳膜扩散到所述碳化硅层中。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||