发明名称 一种CMOS带隙基准电压源
摘要 本发明涉及一种CMOS带隙基准电压源。所述电压源包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2。本发明CMOS带隙基准电压源由于未采用运算放大器和自启动电路,版图上占用面积会显著减小,结构简单,需要规避的风险更小,有助于提高产品良率;同时由于没有运算放大器,也不会受到运算放大器的失调影响,有利于精度的提高。
申请公布号 CN102890526B 申请公布日期 2014.08.13
申请号 CN201110204365.2 申请日期 2011.07.21
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 刘明;张君宇;张满红;霍宗亮;谢常青;潘立阳;陈映平;刘阿鑫
分类号 G05F3/30(2006.01)I 主分类号 G05F3/30(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 王建国
主权项 一种CMOS带隙基准电压源,其特征在于,包括输入电流源Iref、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和三极管Q2;所述PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6的源端和衬底均接到最高电位电源电压VDD;所述PMOS管MP1的栅端和漏端同时接到输入电流源Iref,同时栅端接到PMOS管MP2和PMOS管MP3的栅端;所述PMOS管MP2的漏端接到电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端接三极管Q1的发射极,所述三极管Q1的基极和集电极同时接地;所述PMOS管MP3的漏端接到电阻R2的一端,所述电阻R2的另一端接三极管Q2的发射极,所述三极管Q2的基极和集电极同时接地;所述PMOS管MP2的漏端还连接到NMOS管MN1的栅端;所述PMOS管MP3的漏端还同时连接到NMOS管MN2和NMOS管MN3的栅端;所述PMOS管MP4的栅端和漏端同时连接到NMOS管MN1的漏端;所述PMOS管MP5的栅端和漏端同时连接到NMOS管MN2的漏端作为负载二极管;所述PMOS管MP4的栅端和PMOS管MP6的栅端相连,起到镜像电流的作用;所述NMOS管MN1、NMOS管MN2和NMOS管MN3的源端和衬底均同时接地;所述PMOS管MP6的漏端和NMOS管MN3的漏端连接在一起后同时连接到电阻R3的一端,从而获得基准电压VREF,所述电阻R3的另一端接地。
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