体声波薄膜共振器及其制造方法

摘要

本发明关于一种体声波薄膜共振器及其制造方法。其中体声波薄膜共振器包含硅基板、第一及第二金属层、以及压电层，第一金属层形成在硅基板上，第一金属层包含有多个下电极，压电层形成在硅基板上并覆盖第一金属层，压电层至少具有第一、第二及第三上电极设置区、位于第一上电极设置区外侧的第一阻隔区、位于第二上电极设置区外侧的第二阻隔区及位于第三上电极设置区外侧的第三阻隔区，其中第一阻隔区形成有第一沟槽，第二阻隔区形成有第二沟槽，第三阻隔区形成有第三沟槽，第二金属层形成在压电层上，第二金属层包含有第一、第二及第三上电极，第一上电极位于第一上电极设置区，第二上电极位于第二上电极设置区，第三上电极位于第三上电极设置区。

主权项

一种体声波薄膜共振器，其特征在于至少包含：一硅基板，其具有一第一表面与一第二表面；一第一金属层，其形成在该硅基板上，该第一金属层包含有多个下电极；一压电层，其覆盖该第一金属层，该压电层至少具有一第一上电极设置区、一第二上电极设置区、一第三上电极设置区、一位于该第一上电极设置区外侧的第一阻隔区、一位于该第二上电极设置区外侧的第二阻隔区及一位于该第三上电极设置区外侧的第三阻隔区，其中该第一阻隔区形成有一第一沟槽，该第二阻隔区形成有一第二沟槽，该第三阻隔区形成有一第三沟槽；以及一第二金属层，其形成在该压电层上，该第二金属层包含有一第一上电极、一第二上电极及一第三上电极，该第一上电极位于该第一上电极设置区，该第二上电极位于该第二上电极设置区，该第三上电极位于该第三上电极设置区。