针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路

摘要

本发明涉及微电子学中的抗辐射集成电路和CMOS图像传感器设计领域，为提出一种TDI型CMOS图像传感器的工作方式，用以针对像素的单粒子效应进行加固。为此，本发明采取的技术方案是，针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路，TDI型CMOS图像传感器累加级数为3n，n＝1、2、3……，每n行像素的输出分别经过数模转换后存储于对应的存储器中，在第3n行像素读出之后，先对前n行、中间n行和后n行中各行像素的输出值分别进行累加，再将三个累加得到的和值送入三模冗余模块中进行表决，剔出异常值，累加输出；三模冗余所使用的阈值可以由用户自行设定。本发明主要应用于集成电路设计制造。

主权项

一种针对单粒子效应加固的TDI型CMOS图像传感器累加电路，其特征是，TDI型CMOS图像传感器累加级数为3n，n＝1、2、3……，每n行像素的输出分别经过数模转换后存储于对应的存储器中，在第3n行像素读出之后，先对前n行、中间n行和后n行中各行像素的输出值分别进行累加，再将三个累加得到的和值送入三模冗余模块中进行表决，剔出异常值，累加输出；三模冗余所使用的阈值可以由用户自行设定。