发明名称 |
EL显示装置的制造方法 |
摘要 |
简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管,并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置:层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜;在其上形成第一抗蚀剂掩模;进行第一蚀刻形成薄膜叠层体;对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层;使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。 |
申请公布号 |
CN103987146A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410220695.4 |
申请日期 |
2009.03.05 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
宫入秀和;小森茂树;伊佐敏行;梅崎敦司 |
分类号 |
H05B33/10(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H05B33/10(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
叶晓勇;刘春元 |
主权项 |
一种显示装置,包括:像素;电连接到所述像素的源极布线;电连接到所述像素的栅极布线;以及在所述源极布线的侧面上的端子连接部,所述端子连接部包括: 第一导电层; 在所述第一导电层上的第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上的第一半导体层; 在所述第一半导体层上的第二半导体层; 在所述第二半导体层上的第二导电层; 在所述第二导电层上的第二绝缘层;和 在所述第二绝缘层上的第三导电层,其中,所述第二绝缘层包括与所述第一半导体层的顶面的至少一部分接触的第一区域,其中,所述第三导电层包括与所述第一导电层的顶面的至少一部分接触的第二区域,其中,所述第三导电层包括与所述第二导电层的顶面的至少一部分接触的第三区域,并且其中,所述第三导电层包括与所述第二绝缘层的侧面的至少一部分接触的第四区域。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |