对临时键合的半导体晶片去键合

摘要

所描述的方法和设备提供对器件晶片和载体晶片之间粘附性键合的受控扰动。可以是机械、化学、热或辐射性的该受控扰动便于两个晶片的分离，而不损坏器件晶片。该受控扰动或者在接合两个晶片的粘附剂内、或者在粘附层内的界面(诸如释放层与粘附剂之间)处或者在晶片/粘附剂界面处引发裂纹。然后可以使用用于引发裂纹的上述方法中的任一方法或其组合来扩展裂纹。

主权项

一种用于将器件晶片与载体晶片去键合的系统，所述器件晶片临时键合到所述载体晶片，所述系统包括：晶片支撑结构，被配置用于保持晶片堆叠，所述晶片堆叠包括通过粘附层临时键合到所述器件晶片的载体晶片；裂纹引发件，被配置成通过在所述粘附层的边缘附近引入受控扰动，在所述粘附层中引发裂纹，其中所述裂纹的受控传播将所述器件晶片与所述载体晶片去键合，而不损坏所述器件晶片，所述器件晶片具有低于100μm的厚度和至少50mm的直径；以及保持装置，被配置用于在去键合期间限制所述载体晶片的周边的至少一部分。