| 发明名称 | GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法及其测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤；b.基片预处理步骤；c.量子点的制备步骤；和d.量子点样品的分块封装步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN103985655A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201410229185.3 | 申请日期 | 2014.05.27 |
| 申请人 | 中国科学技术大学 | 发明人 | 尤杰;郭国平;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 贺卫国 |
| 主权项 | 一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构栅极电控量子点的制备方法，所述方法包括以下步骤：a.基片生长步骤，其中依次生长GaAs衬底(101)、AlGaAs缓冲层(102)、AlGaAs掺杂层(103)、AlGaAs隔离层(104)和表面的GaAs盖帽层(105)，从而形成稳定的二维电子气结构(106)；b.基片预处理步骤，其中将基片清洗干净；c.量子点的制备步骤，其中通过刻蚀制成二维电子导通平台(100)结构，得到所述二维电子气结构(106)中的二维电子气区域；再通过进行光学曝光、镀膜和金属剥离，制备欧姆接触电极(200)和位于表面的金属栅极(300)；最后通过进行电子束曝光、镀膜和金属剥离，得到量子点区域的金属小电极(400)，形成中间的量子点(QD)区域(500)和量子点接触(QPC)通道(600)，所述金属小电极(400)与金属栅极(300)的尖端相连；d.量子点样品的分块封装步骤，其中将制备完成的量子点样品基片进行封装。 | ||
| 地址 | 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 | ||