非制冷长波红外探测器用吸收层结构

摘要

本专利公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上，自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于：第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜，作为减反层和器件保护层，膜厚为1000nm–1200nm；第二金属层是膜厚为8nm–12nm的镍铬合金层，作为红外波段的吸收层；第三绝缘层是膜厚为50nm–100nm的二氧化硅薄膜，作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单，易与现有的微电子工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8–14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。

主权项

一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，它由氮化硅薄膜（1）、镍铬合金层（2）和二氧化硅薄膜（3）组成，其特征在于：所述的吸收层结构按辐射的入射顺序依次为氮化硅薄膜（1）、镍铬合金层（2）和二氧化硅薄膜（3）；其中：所述氮化硅薄膜（1）的膜厚为1000nm–1200nm；所述镍铬合金层（2）的膜厚为8nm–12nm，其方块电阻为9.0Ω/□–10.0Ω/□；所述二氧化硅薄膜（3）的膜厚为50nm–100nm。