硅成膜装置及其使用方法

摘要

本发明提供一种硅成膜装置及其使用方法。该硅成膜装置的使用方法按照下述的顺序进行各种处理：用硅涂层膜覆盖反应管的预涂层处理、对产品用被处理体上的自然氧化膜进行蚀刻的蚀刻处理、在产品用被处理体上形成硅产品膜的硅成膜处理、以及对反应管上的硅膜进行蚀刻的清除处理。在预涂层处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域的下侧的第1位置具有最下开口部的第1供给口将硅源气体供给到反应管内。在蚀刻处理中，一边对反应管向上方排气，一边从在处理区域和第1位置之间具有最下开口部的第2供给口将蚀刻气体供给到反应管内。

主权项

一种硅成膜装置的使用方法，其中，上述装置包括：立式的石英制反应管，其具有用于收纳多个硅晶圆的处理区域；石英制保持器具，其用于在上述处理区域内以沿上下设有间隔地层叠上述硅晶圆的状态保持上述硅晶圆；加热器，其被配设成围着上述反应管，用于对上述处理区域内的上述硅晶圆进行加热；气体供给系统，其用于将处理气体供给到上述处理区域；以及排气系统，其通过将气体引到上述处理区域的上方而对上述反应管进行排气，上述方法包括以下工序：预涂层处理工序，在收纳了未保持有产品用硅晶圆的上述保持器具的上述反应管内，进行用硅涂层膜覆盖上述反应管的内表面和上述保持器具的表面的预涂层处理，在预涂层处理工序中，利用上述排气系统对上述反应管进行排气，并且从在上述处理区域的下侧的第1位置具有最下开口部的第1供给口将硅源气体供给到上述反应管内；蚀刻处理工序，其接着预涂层处理工序进行，在收纳了保持有多个产品用硅晶圆的上述保持器具的上述反应管内，进行对形成在上述产品用硅晶圆表面上的自然氧化膜进行蚀刻的蚀刻处理，在蚀刻处理工序中，利用上述排气系统对上述反应管进行排气，并且从在上述处理区域与上述第1位置之间具有最下开口部的第2供给口将氟化氢气体供给到上述反应管内；使硅外延生长的处理工序，其接着蚀刻处理工序进行，在收纳了保持有上述产品用硅晶圆的上述保持器具的上述反应管内，进行在上述产品用硅晶圆的表面上形成硅产品膜的使硅外延生长的处理，在使硅外延生长的处理工序中，利用上述排气系统对上述反应管进行排气，并且从上述第1供给口将上述硅源气体供给到上述反应管内；清除处理工序，其接着使硅外延生长的处理工序进行，在收纳了未保持有产品用硅晶圆的上述保持器具的上述反应管内，进行对上述反应管的内表面和上述保持器具的表面上的硅涂层膜进行蚀刻的清除处理，在清除处理工序中，利用上述排气系统对上述反应管进行排气并且从在与上述第1位置相同的高度或者位于该高度的下侧的位置具有最下开口部的第3供给口将清除气体供给到上述反应管内，上述第2供给口比预涂时形成在上述反应管的内壁上的上述硅涂层膜的下端位置相同程度的高度位置更位于上方位置。