发明名称 |
一种制备铜柱凸点的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法,采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术,包括:在介质层上制备一层导电的金属种子层;在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线;对金属种子层进行刻蚀,留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层,凸点区域之外的金属种子层全部去除,得到第一基片;在第一基片上制备一层绿油层,并将凸点区域的绿油层除去,得到第二基片;在第二基片上依次制备多层干膜,然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻,直至露出凸点区域的焊盘,在焊盘上形成刻蚀盲孔,得到第三基片;对第三基片进行电镀,在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜,然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层,于焊盘上形成铜柱凸点。 |
申请公布号 |
CN103985647A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410218948.4 |
申请日期 |
2014.05.22 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
刘文龙;于中尧 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种制备铜柱凸点的方法,其特征在于,该方法采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术来实现铜柱凸点的制备,具体包括:步骤10:在介质层上制备一层导电的金属种子层;步骤20:在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线;步骤30:对金属种子层进行刻蚀,留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层,凸点区域之外的金属种子层全部去除,得到第一基片;步骤40:在第一基片上制备一层绿油层,并将凸点区域的绿油层除去,得到第二基片;步骤50:在第二基片上依次制备多层干膜,然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻,直至露出凸点区域的焊盘,在焊盘上形成刻蚀盲孔,得到第三基片;步骤60:对第三基片进行电镀,在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜,然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层,于焊盘上形成铜柱凸点。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |