发明名称 |
可控生成量子点或量子线的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种可控生成量子点或量子线的方法,属于低维量子材料制备领域。该方法包括:在溶解有量子点或量子线材料的溶液中设置生长量子点或量子线的衬底,在所述衬底底面设置与衬底下表面接触的电极;在所述溶液与所述电极之间施加电压形成稳恒电场,使溶液中的量子点或量子线材料在所述稳恒电场的电场力的作用下向所述衬底上的电极所在的位置沉降,在所述电极所对应位置的衬底上生长量子点或量子线;调整所述电极的位置控制量子点或量子线在衬底上的生长位置。该方法操作简单,可控效果好,可实现任意量子点或量子线位置的可控生长,为量子器件的加工制造奠定基础。 |
申请公布号 |
CN102431964B |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201110421304.1 |
申请日期 |
2011.12.15 |
申请人 |
北京石油化工学院 |
发明人 |
武光明;邢光建;张志乾;周洋 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 |
代理人 |
郑立明;赵镇勇 |
主权项 |
一种可控生成量子点或量子线的方法,其特征在于,该方法包括:在溶解有量子点或量子线材料的溶液中设置生长量子点或量子线的衬底,在所述衬底底面设置与衬底下表面接触的电极;所述衬底采用厚度小于毫米量级的非导电材料制成的衬底;在所述溶液与所述电极之间施加电压形成稳恒电场,使溶液中的量子点或量子线材料在所述稳恒电场的电场力的作用下向所述衬底上的电极所在的位置沉降,在所述电极所对应位置的衬底上生长量子点或量子线;调整所述电极的位置控制量子点或量子线在衬底上的生长位置。 |
地址 |
100083 北京市大兴区黄村清源北路19号 |