一种集成反并联二极管的IGBT结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种集成反并联二极管的IGBT结构及其制造方法，属于半导体功率器件领域，该集成反并联二极管的IGBT在现有集成反并联二极管的IGBT的P型集电区和N型集电区之间加入使P型集电区和N-型漂移区形成的二极管一直处于正向导通状态的半导体区，维持N型集电区及其上方N-漂移区的高阻特性，在给集电极由小到大渐变施加电压时，使P型集电区和N-型漂移区形成的二极管一直处于正向导通状态，不影响IGBT的通态压降，达到了减弱集成反并联二极管IGBT突然跳回现象的目的。

主权项

一种集成反并联二极管的IGBT结构，包括：集电极、P型集电区、N型集电区、N‑型漂移区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一N型有源区、第二N型有源区、第一绝缘层、门极、第二绝缘层、发射极；所述P型集电区和N型集电区位于所述集电极上部的同一层；所述N‑型漂移区位于P型集电区和N型集电区的上部；所述第一P型阱区和第二P型阱区自N‑漂移区表面两侧向下延伸，被N‑漂移区表面中间部分隔离开；所述第一N型有源区位于第一P型阱区内，所述第二N型有源区位于第二P型阱区内；所述第一绝缘层与N‑型漂移区表面部分、第一P型阱区部分、第一N型有源区部分、第二P型阱区部分、第二N型有源区部分相连；所述门极与第一绝缘层相连；所述第二绝缘层位于所述门极与发射极之间；所述发射极分别与第一P型阱区部分、第一N型有源区部分、第二绝缘层、第二P型阱区部分、第二N型有源区部分相连；其特征在于，所述集成反并联二极管的IGBT结构还包括：在给集电极由小到大渐变施加电压时，使P型集电区和N‑型漂移区形成的二极管一直处于正向导通状态的半导体区，所述半导体区位于P型集电区和N型集电区之间的同一层；所述半导体区为P‑型半导体区和N+型半导体区共同构成；所述P型集电区、N型集电区、P‑型半导体区和N+型半导体区所在层的排列顺序为P型集电区、P‑型半导体区、N+型半导体区、N型集电区；所述P‑型半导体区的离子注入浓度低于所述P型集电区的离子注入浓度，所述N+型半导体区的离子注入浓度高于N型集电区的离子注入浓度。