具有改善的隔离电压性能的微电子组件及其形成方法

摘要

提供了一种用于形成微电子组件的方法和一种微电子组件。在具有第一浓度的第一掺杂剂类型的基板(20)上形成第一和第二半导体器件(72)。在第一和第二半导体器件下方分别形成具有第二掺杂剂类型的第一和第二掩埋区(28)，其中在其之间具有间隙(34)。在基板上并且在第一和第二半导体器件之间形成至少一个阱区(64、70)。在第一和第二掩埋区之间形成具有第二浓度的第一掺杂剂类型的势垒区(48)并且该势垒区与该第一和第二掩埋区相邻，使得势垒区的至少一部分从第一和第二半导体器件延伸一深度(82)，该深度大于或等于掩埋区的深度。

主权项

一种用于构造微电子组件的方法，包括：在具有第一掺杂剂类型和第一浓度的基板中形成第一和第二掩埋区，其中，所述第一和第二掩埋区分别在第一和第二半导体器件下方，具有第二掺杂剂类型和第二浓度，所述第二浓度大于所述第一浓度，所述第一和第二掩埋区之间具有间隙，所述第一和第二掩埋区均具有与所述间隙相邻的第一末端和与所述间隙相对的第二末端，所述第一末端向所述基板中延伸第一深度；在所述第一掩埋区、所述间隙和所述第二掩埋区上生长氧化物层，其中，所述第一和第二掩埋区上的所述氧化物层的厚度大于所述间隙上的所述氧化物层的厚度；对所述第一和第二掩埋区和所述间隙上的所述氧化物层施加注入，其中，所施加的注入在所述第一和第二掩埋区的所述第一末端之间形成具有第三浓度的所述第一掺杂剂类型的势垒区并且所述势垒区与所述第一末端相邻，使得所述势垒区的至少一部分从所述第一和第二半导体器件延伸第二深度，所述第三浓度大于所述第一浓度，并且所述第二深度大于或等于所述第一深度；在所述基板上形成具有所述第一掺杂剂类型的外延层，由此，所述第一和第二掩埋区以及所述势垒区延伸到所述外延层中；以及形成通过所述外延层到所述第一掩埋区和所述势垒区的第一阱区以及通过所述外延层到所述第二掩埋区和所述势垒区的第二阱区。