发明名称 使用相变器件的三元内容可寻址存储器
摘要 一种内容可寻址存储器器件,具有存储高、低和随意这些三元数据值的多个存储器单元。内容可寻址存储器器件的一个方面在于存储器单元中的第一存储器元件和第二存储器元件的使用。第一存储器元件和第二存储器元件在并联电路中电耦合到匹配线。第一存储器元件耦合到第一字线,第二存储器元件耦合到第二字线。第一存储器元件配置用于在三元数据值为低的情况下存储低阻态以及在三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态。第二存储器元件配置用于在三元数据值为高的情况下存储低阻态,以及在三元数据值为低或者随意的情况下存储高阻态。
申请公布号 CN102341863B 申请公布日期 2014.08.13
申请号 CN201080010880.0 申请日期 2010.01.26
申请人 国际商业机器公司 发明人 C·H·拉姆;R·K·蒙托耶;B·拉詹德朗;B·季
分类号 G11C15/04(2006.01)I 主分类号 G11C15/04(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 吴立明
主权项 一种用于存储数据字的内容可寻址存储器器件,数据字的每个位被设置为低、高和随意的三元数据值之一,所述内容可寻址存储器器件包括:多个匹配线;多个存储器单元,其在并联电路中电耦合到所述多个匹配线中的一个匹配线,每个存储器单元存储所述数据值的一位;每个存储器单元中的第一存储器元件,配置用于在其对应位的所述三元数据值为低的情况下存储低阻态,以及在其对应位的所述三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态,所述高阻态在阻抗上比所述低阻态高至少一个量级;每个存储器单元中的第二存储器元件,配置用于在其对应位的所述三元数据值为高的情况下存储所述低阻态,以及在其对应位的所述三元数据值为低或者随意的情况下存储所述高阻态,所述匹配线在并联电路中电耦合所述第一存储器元件和所述第二存储器元件;以及电耦合到每个匹配线的匹配电路,所述匹配电路配置用于在搜索操作期间,测量电耦合到每个匹配线的所述多个存储器单元的总有效阻抗,其中所述匹配电路被配置用于基于一条匹配线的所述总有效阻抗来确定所述数据字与搜索字之间的失配位的数目,所述失配位的数目与所述总有效阻抗成反比。
地址 美国纽约阿芒克