一种基于人工磁导体结构的60GHz片上天线

摘要

本实用新型涉及一种基于人工磁导体结构的60GHz片上天线。本实用新型包括由下到上的硅衬底层、SiO₂层、SiN层，其特征在于：SiO₂层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO₂层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO₂层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。本实用新型能够满足60GHz时对垂直入射波反射相位为零，并且反射相位带隙完全覆盖60GHz附近的约7GHz（57～64GHz）免许可频段，同时可以有效的提高片上天线的增益和辐射效率等。

主权项

一种基于人工磁导体结构的60 GHz片上天线，包括由下到上的硅衬底层、SiO₂层、SiN层，其特征在于：SiO₂层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO₂层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO₂层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。