一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法

摘要

本发明涉及一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法，其方法为通过改变1，3，5-三乙烯基-1，3，5-三甲基环三硅氧烷(VD₃)和阴离子引发剂的投料比，调整反应时间及反应温度，控制单体的转化率，结合阴离子开环聚合的优势，开环聚合可制备得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)极窄的聚硅氧烷，分子量在3000～30000可调。上述制备方法具体为向20ml的安倍瓶加入VD₃单体0.5～2.0ml溶济单体，然后加入新蒸四氢呋喃1.4ml，搅拌约20～30min，在冰水浴中恒定温度，加入正丁基锂溶液0.1～0.6ml达到预定反应时间后，用无水冰甲醇沉淀出聚合物。本发明技术中，由于阴离子开环聚合过程中，单体引发剂投料比可调、反应温度可调、反应时间可控，可以通过控制单体转化率，得到分子量分布极窄、分子量可调的聚硅氧烷。

主权项

一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法，其特征在于：该方法为：通过改变1，3，5‑三乙烯基‑1，3，5‑三甲基环三硅氧烷(VD₃)和阴离子引发剂的投料比，调整反应时间及反应温度，控制单体的转化率，结合阴离子开环聚合的优势，开环聚合可制备得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)极窄的聚硅氧烷，分子量在3000～30000可调。