| 发明名称 | 蚀刻的硅结构、形成蚀刻的硅结构的方法及其应用 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻硅的方法，所述方法包括以下步骤：用铜金属部分覆盖待蚀刻的材料的至少一个硅表面；和使至少一个表面暴露于含有氧化剂和氟化物离子的源的含水蚀刻组合物。 | ||
| 申请公布号 | CN103988342A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201280060454.7 | 申请日期 | 2012.10.05 |
| 申请人 | 奈克松有限公司 | 发明人 | 刘峰明 |
| 分类号 | H01M4/04(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B44C1/22(2006.01)I;H01M4/02(2006.01)I;H01M4/70(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/66(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;张英 |
| 主权项 | 一种蚀刻硅的方法，所述方法包括以下步骤：用铜金属部分覆盖待蚀刻的材料的至少一个硅表面；和使至少一个表面暴露于含有氧化剂和氟化物离子的源的含水蚀刻组合物。 | ||
| 地址 | 英国牛津郡 | ||