晶体管中的应变补偿

摘要

提供了具有包括交替的压缩和拉伸应变外延材料层的沟道区的晶体管结构。交替的外延层可以在单栅极晶体管结构和多栅极晶体管结构中形成沟道区。在可替换的实施例中，选择性地蚀刻掉两个交替的层中的一层，以形成剩余材料的纳米带或纳米线。得到的应变纳米带或纳米线形成晶体管结构的沟道区。还提供了包括晶体管的计算设备，所述晶体管包括由交替的压缩和拉伸应变外延层组成的沟道区，以及包括晶体管的计算设备，所述晶体管包括由应变的纳米带或纳米线组成的沟道区。

主权项

一种器件，包括：衬底，所述衬底具有表面，其中，所述表面包括具有第一晶格常数的第一外延材料，沟道区，所述沟道区布置在所述衬底的表面上，所述衬底的表面包括多个第二外延材料的层和多个第三外延材料的层，其中，所述第二外延材料的晶格常数大于所述第一外延材料的晶格常数，其中，所述第三外延材料的晶格常数小于所述第一外延材料的晶格常数，并且其中，以交替方式来布置所述第二外延层和所述第三外延层，以及栅极区，所述栅极区布置在所述沟道区的两个或三个侧上，其中，所述栅极区包括布置在栅极电极材料与所述沟道区之间的栅极电介质材料。