| 发明名称 | 用于生产结晶半导体锭的坩埚及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于生产结晶半导体锭的坩埚(1)，所述坩埚包括由底板(1a)和周边侧壁(1b)限定的内部体积，所述底板(1a)的顶表面包括限定第一水平平面(H)的平面部分，所述周边侧壁(1b)各自包括内表面，所述内表面包括基本上竖直的平面部分，其限定了基本上竖直的平面(V)并且垂直于第一水平平面(H)，所述侧壁(1b)在底板(1a)的周边通过形成至少1mm的曲率半径R1而连接底板(1a)，其特征在于，在第一水平平面(H)与由各侧壁(1b)的基本上竖直的平面部分限定的基本上竖直的平面(V)之间形成交会的相交线(hv)完整地位于侧壁(1b)上、底板(1a)上或坩埚的内部体积中。 | ||
| 申请公布号 | CN103987881A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201280060933.9 | 申请日期 | 2012.12.11 |
| 申请人 | 维苏威法国股份有限公司 | 发明人 | 吉尔伯特·兰库勒;克里斯蒂安·马丁;劳伦·杜布瓦 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人 | 脱颖 |
| 主权项 | 一种用于生产结晶半导体锭的坩埚(1)，所述坩埚包括由底板(1a)和周边侧壁(1b)限定的内部体积，所述底板(1a)的顶表面包括限定第一水平平面(H)的平面部分，所述周边侧壁(1b)各自包括内表面，所述内表面包括基本上竖直的平面部分，其限定了基本上竖直的平面(V)并且垂直于所述第一水平平面(H)，所述侧壁(1b)通过在所述底板(1a)的周边形成至少1mm的曲率半径R1而连接所述底板(1a)，其特征在于，在所述第一水平平面(H)与由各侧壁(1b)的所述基本上竖直的平面部分限定的所述基本上竖直的平面(V)之间形成交会的相交线(hv)完整地位于所述侧壁(1b)上、所述底板(1a)上或所述坩埚的内部体积中。 | ||
| 地址 | 法国费格涅斯 | ||