发明名称 |
双极半导体开关及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及双极半导体开关及其制造方法。提供了一种具有半导体主体的双极半导体开关。半导体主体包括第一p型半导体区、第二p型半导体区、以及第一n型半导体区,第一n型半导体区与第一p型半导体区形成第一pn结并且与第二p型半导体区形成第二pn结。在第一pn结和第二pn结之间穿过第一n型半导体区的最短路径上,电荷复合中心的浓度和n掺杂剂的浓度变化。电荷复合中心的浓度在沿最短路径的一点处具有最大值,在该点处n掺杂剂的浓度至少接近于最大掺杂剂浓度。另外,提供了一种用于双极半导体开关的制造方法。 |
申请公布号 |
CN103986447A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410044904.4 |
申请日期 |
2014.02.07 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
F.J.尼德诺斯泰德;H-J.舒尔策 |
分类号 |
H03K17/567(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/567(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
王岳;胡莉莉 |
主权项 |
一种双极半导体开关,包括半导体主体,半导体主体包括:第一p型半导体区;第二p型半导体区;以及第一n型半导体区,与第一p型半导体区形成第一pn结,并且与第二p型半导体区形成第二pn结;其中,在第一pn结和第二pn结之间穿过第一n型半导体区的最短路径上,电荷复合中心的浓度和n掺杂剂的浓度变化,以便电荷复合中心的浓度在沿所述最短路径的一点处于最大值,在所述点处n掺杂剂的浓度至少接近于最大掺杂剂浓度。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |