接触孔结构形成方法

摘要

本发明公开了一种接触孔结构形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有金属层；在所述半导体基底上形成覆盖所述金属层的介质层，所述介质层至少包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层位于所述第二介质层和所述半导体基底之间，所述第一介质层的熔点高于所述第二介质层；刻蚀所述介质层，直至形成暴露金属层的接触孔；对具有接触孔的所述介质层加热，使所述第二介质层变软并向接触孔内流动，从而所述接触孔的侧壁在所述第二介质层的位置具有凸起；用导电介质填充接触孔。本发明减少接触孔结构发生断路的可能。

主权项

一种接触孔结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有金属层；在所述半导体基底上形成覆盖所述金属层的介质层，所述介质层至少包括第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层依次层叠排列，所述第一介质层的熔点高于所述第二介质层，第三介质层的熔点高于所述第二介质层；刻蚀所述介质层，直至形成暴露金属层的接触孔；对具有接触孔的所述介质层加热，使所述第二介质层变软并向接触孔内流动，从而所述接触孔的侧壁在所述第二介质层的位置具有凸起；用导电介质填充接触孔。