| 发明名称 | 逻辑电路及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH<sub>4</sub>)以及氨(NH<sub>3</sub>)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN101794791B | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN200910262579.8 | 申请日期 | 2009.12.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 小山润;坂田淳一郎;丸山哲纪;井本裕己;浅野裕治;肥塚纯一 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H03K19/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲;胡烨 |
| 主权项 | 一种逻辑电路，包括：将第一金属氧化物半导体层用作电阻成分的电阻元件；将氢浓度比所述第一金属氧化物半导体层的氢浓度低的第二金属氧化物半导体层用作沟道形成区的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电连接于所述电阻元件；设置在所述第二金属氧化物半导体层上的氧化硅层；以及设置在所述第一金属氧化物半导体层以及所述氧化硅层上的氮化硅层，其中所述第一金属氧化物半导体层和所述第二金属氧化物半导体层包含由InMO<sub>3</sub>(ZnO)<sub>m</sub>表示的化合物，且其中M表示选自镓、铁、镍、锰及钴中的一种或多种金属元素，且m>0。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||