| 发明名称 | 一种半导体晶片的抛光倒角方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角。依照本发明将半导体晶片的正面与侧面的交界处抛光为一定的弧度面，实现了半导体晶片边缘光亮、圆滑，无掉渣、崩边现象。从而达到降低生产红外焦平面探测器器件的成本、提高其性能和稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103985784A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201410157983.X | 申请日期 | 2014.04.18 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 发明人 | 孙海燕;陈慧卿;史春伟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 吴永亮 |
| 主权项 | 一种半导体晶片的抛光倒角方法，其特征在于，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角，使所述半导体晶片的正面与侧面的连接处形成预定弧度的倒角面。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 | ||