| 发明名称 | 发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种发光二极管及其制作方法。该发光二极管包含第一半导体层、位于第一半导体层上的活性层、位于活性层之上的第二半导体层，以及位于第二半导体层之上的半导体接触层。第二半导体层包含第一次层与形成于第一次层之上的第二次层，其中第二次层的材料包含Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(0<x<1)，且第二次层的表面包含不规则分布的孔洞结构。 | ||
| 申请公布号 | CN103985802A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201310049983.3 | 申请日期 | 2013.02.08 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 林予尧;柯淙凯;曾建元;陈彦志;游俊达;凌硕均;颜政雄;吴欣显 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包含：第一半导体层；活性层，位于该第一半导体层之上；第二半导体层，位于该活性层之上，包含第一次层与形成于该第一次层之上的第二次层，其中该第二次层的材料包含Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N(0<x<1)且该第二次层的表面包含不规则分布的孔洞结构；以及半导体接触层，位于该第二半导体层之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||