半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片

摘要

本发明提供一种半导体晶片及其制造方法、以及半导体芯片，该半导体晶片包括：第一半导体芯片区，形成有一半导体元件；第二半导体芯片区，形成有一半导体元件；以及划片区，夹在第一半导体芯片区和第二半导体芯片区之间；其中：第一半导体芯片区包括第一金属环，该第一金属环环绕形成在第一半导体芯片区中的该半导体元件；第一金属环由多个金属层构成，多个金属层包括下侧金属层和叠置在该下侧金属层上方的上侧金属层，并且该上侧金属层以如下方式，即以第一半导体芯片区中的该上侧金属层的外部侧壁与该下侧金属层的外部侧壁齐平的方式或位于第一半导体芯片区的内部位置的方式，叠置在下侧金属层上方。

主权项

一种半导体晶片，包括：半导体基板；第一半导体芯片区，限定在所述半导体基板中，且形成有第一半导体元件；第二半导体芯片区，限定在所述半导体基板中，且形成有第二半导体元件；划片区，限定在所述半导体基板中，且夹在所述第一半导体芯片区和所述第二半导体芯片区之间；下侧绝缘膜，形成在所述半导体基板中；第一金属环，位于所述第一半导体芯片区中的半导体基板上，环绕所述第一半导体元件，由彼此堆叠的多个金属层构成，包括最下层金属层和最上层金属层，每个所述金属层具有内部侧壁和外部侧壁；层间绝缘膜，形成在所述半导体基板上，且覆盖所述第一金属环的外部侧壁的至少一部分；覆盖绝缘膜，覆盖所述第一金属环的最上层金属层；以及开口，形成在所述覆盖绝缘膜中，并暴露所述最上层金属层的上表面；其中：所述第一金属环的除了所述最下层金属层之外的每个金属层的面向所述划片区的外部侧壁与所述第一金属环的相邻下侧金属层的外部侧壁齐平或从所述第一金属环的相邻下侧金属层向内缩回；所述下侧绝缘膜位于低于所述第一金属环的位置；以及所述下侧绝缘膜的外部端部位于所述第一金属环的最下层金属层的外部端部的外部。