发明名称 |
一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法 |
摘要 |
本发明公开了一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法,在连续式磁控溅射设备上,在合适的镀膜环境下,通过镀膜设备工艺参数优化,可在玻璃、PET、PI等上进行AZO导电膜的镀膜,实现室温下AZO导电膜的连续式生,本发明在16~26℃的温度环境下实现AZO导电膜的镀膜过程,无须进行加热,避免了加热引起的基材变形甚至扭曲起来,导致薄膜不均匀,可明显提高AZO薄膜的均匀性,并有效提高AZO薄膜的附着力,同时增加的基材的可选范围,降低了镀膜的成本。 |
申请公布号 |
CN103981502A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410241523.5 |
申请日期 |
2014.06.03 |
申请人 |
江苏汇景薄膜科技有限公司 |
发明人 |
刘战合;周钧;韩汇如;孙斌 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
江苏银创律师事务所 32242 |
代理人 |
王纪营 |
主权项 |
一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,对待镀膜的基材进行盘刷、滚刷清洗并进行烘干或者静电除尘,去除待镀膜的基材的镀膜面的杂质,将处理后的待镀膜的基材进行烘干之后送入洁净室;步骤二,镀膜设备为连续式磁控溅射镀膜设备,靶材为AZO靶材,AZO靶材的纯度为3N以上,将待镀膜的基材从洁净室放入连续式磁控溅射镀膜设备的工艺腔体,对工艺腔体进行抽真空,本底真空度要求优于5×10<sup>‑4</sup>Pa;步骤三,向工艺腔体内充入工艺气体,使工艺腔体内气压保持在0.1~0.7Pa,镀膜环境要求空气洁净度达到十万量级,湿度50%以下,温度在16~26℃之间,开启续式磁控溅射镀膜设备的阴极电源,对基材的镀膜面进行溅射镀膜,其中调整连续式磁控溅射镀膜设备镀膜的工艺参数为:靶材溅射功率为1~5w/cm<sub> </sub><sup>2 </sup>,靶材与基材间的距离为10~25cm,基材传输速度为0.5~3.0m/min。 |
地址 |
225312 江苏省泰州市海陵区九龙镇新能源产业园区龙园路 |