发明名称 一种低温烧结钨骨架制备钨铜合金的方法
摘要 本发明公开了一种低温烧结钨骨架制备钨铜合金的方法,采用纯度为99.9%、粒度为1~7μm的钨粉,和占所用粉末总质量百分比5%~20%、粒度为1~15μm的WO<sub>x</sub>粉,湿磨均匀混合后干燥过筛。混合粉通过等静压成型得到压坯,烧结得到钨骨架后,计算渗铜量,将纯度&gt;99.5%的纯铜板裁成与骨架表面尺寸相同的铜片置于钨骨架上,放入管式炉中,在氢气的氛围下升温至1200~1400℃进行渗铜,所得钨铜合金的铜为15wt%~40wt%、余量为钨,且具有98%以上的高致密度,适合于电触头和电极材料、电子封装材料、高温发汗材料等。
申请公布号 CN103981389A 申请公布日期 2014.08.13
申请号 CN201410204907.X 申请日期 2014.05.15
申请人 厦门理工学院 发明人 许龙山;刘兴军;林丽璀;胡柏新;吴玉蓉
分类号 C22C1/08(2006.01)I;C22C27/04(2006.01)I 主分类号 C22C1/08(2006.01)I
代理机构 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人 麻艳
主权项 一种低温烧结钨骨架制备钨铜合金的方法,其特征在于其制备过程如下:在钨粉中加入占所用钨粉+WO<sub>x</sub>粉末总质量百分比5%~20%的WO<sub>x</sub>粉,湿磨均匀混合6 ~ 8小时;混合粉干燥过筛后,在150~200MPa的压力下等静压成型,得到压坯;将压坯置于管式炉中,在干氢气保护下在1300~1500℃保温2~2.5小时进行烧结,得到钨骨架;测定烧结后骨架的质量M、体积V,则骨架的实际密度<img file="201410204907X100001dest_path_image001.GIF" wi="63" he="43" />,计算其孔隙度<img file="613171dest_path_image002.GIF" wi="88" he="47" />,进而计算渗铜量<img file="201410204907X100001dest_path_image003.GIF" wi="105" he="25" />,其中ρ<sub>W</sub>为钨的理论密度、ρ<sub>Cu</sub>为铜的理论密度;根据上述公式计算骨架所需渗铜量,并以渗铜量的1.1~1.2倍将纯铜板裁成与骨架表面尺寸相同的铜片;将铜片置于钨骨架上,放入管式炉中,在氢气的氛围下升温至1200~1400℃进行渗铜,保温1~2小时即得到铜的质量百分比为15% ~ 40%、余量为钨的钨铜合金。
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