多晶片发光二极管封装结构

摘要

本实用新型公开了一种多晶片发光二极管封装结构，包括：金属基板、多个LED芯片及金属导线，金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，凹腔的底部设置有铜基底层，金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，LED芯片设置在铜基底层上，相邻的两个LED芯片的间距为0.5～1mm，且相邻的两个LED芯片之间填充有金属铜，LED芯片上还覆盖有荧光粉层，金属导线一端与LED芯片电性连接，另一端穿过第二导热绝缘层与导线层电性连接，铜基底层的厚度为0.25～0.3mm。本实用新型是一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的多晶片发光二极管封装结构。

主权项

一种多晶片发光二极管封装结构，其特征在于，包括：金属基板、LED芯片及金属导线，所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部设置有铜基底层，所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，所述LED芯片设置在所述铜基底层上，相邻的两个所述LED芯片的间距为0.5～1mm，且相邻的两个所述LED芯片之间填充有金属铜，所述LED芯片上还覆盖有荧光粉层，所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接，所述铜基底层的厚度为0.25～0.3mm。