发明名称 |
高粘度光刻胶的涂布方法、光刻方法 |
摘要 |
本发明提供了一种高粘度光刻胶的涂布方法,通过在预润湿半导体衬底的表面之后,依次采用三个不同的旋转速度和不同的旋转时间来涂布光刻胶,首先,第一转速小于第二转速,而第一旋转时间大于第二旋转时间;其次,第三转速小于第一转速,而第三旋转时间大于第一旋转时间。由此,在向半导体衬底表面输送光刻胶之后,提高第一转速,并且在很短的时间内旋转半导体衬底,它的作用是均匀涂布光刻胶,避免产生‘风旋’缺陷。采用第二转速的过程中,半导体衬底中心位置的高粘度光刻胶向半导体衬底边缘转移,经过第二旋转时间后,降低转速至第三转速,从而使得形成的光刻胶层在半导体衬底的各个位置的厚度均相同,从而提高光刻工艺的精度和质量。 |
申请公布号 |
CN103977947A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410215788.8 |
申请日期 |
2014.05.20 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
耿金鹏;付瑞鹏;童立峰 |
分类号 |
B05D5/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
B05D5/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种高粘度光刻胶的涂布方法,其特征在于,包括:提供一半导体衬底;旋转所述半导体衬底,对所述半导体衬底进行预润湿;在第一旋转时间内以第一转速旋转所述半导体衬底,并向所述半导体衬底上输送所述光刻胶;在第二旋转时间内以第二转速旋转所述半导体衬底;在第三旋转时间内以第三转速旋转所述半导体衬底,从而在所述半导体衬底上形成均匀的光刻胶层;其中,所述第三转速小于所述第一转速和所述第二转速;所述第二旋转时间小于所述第一旋转时间;所述第一旋转时间小于所述第三旋转时间。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |