半导体装置及其制造方法和操作方法

摘要

本发明可以公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。

主权项

一种半导体装置，包括：沟道层，包括多个第一纳米结构；源电极和漏电极，接触沟道层的两端；第一隧道绝缘层，形成在沟道层上；第一电荷捕获层，形成在第一隧道绝缘层上，并包括与所述多个第一纳米结构不同的多个第二纳米结构；第一阻挡绝缘层，形成在第一电荷捕获层上；第一控制栅极，形成在第一阻挡绝缘层上，其中，所述沟道层形成在亲水层上，其中，疏水层形成在亲水层上并在沟道层周围，源电极和漏电极形成在疏水层上，其中，第一纳米结构是双极性的。