| 发明名称 | 晶片允收测试结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种晶片允收测试结构，该晶片允收测试结构位于晶片的滑道区，所述晶片允收测试结构包括多个垫片，多个所述垫片的金属面积的总和小于等于所述晶片允收测试结构的垫片总面积的十分之一。在本实用新型提供的晶片允收测试结构中，所述垫片的金属面积小，以及在最顶层的所述互连层中进一步减少介电质，降低了在切割晶片时激光的能量，从而避免产生过多的热量，减小对器件区的影响，从而提高最终晶粒的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN203774261U | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201420148702.X | 申请日期 | 2014.03.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 尹晶磊 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶片允收测试结构，所述晶片允收测试结构位于晶片的切割道，其特征在于，所述晶片允收测试结构包括多个垫片，多个所述垫片的横截面积的总和小于等于所述晶片允收测试结构的横截面积的十分之一。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||