一种快速恢复二极管

摘要

本实用新型涉及一种半导体功率器件，具体涉及一种快速恢复二极管。快速恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，衬底为非均匀掺杂的N型硅衬底，N型硅衬底包括从下到上依次分布的衬底N-层以及衬底N+层；所述P区包括从上到下依次排布的被腐蚀的P+区和P+区，所述P+区和衬底N-层形成P+N-结。本实用新型在保证P+N-结两侧浓度的情况下，通过对P+区硅进行腐蚀的方法来降低P+区的杂质总量，从而降低P+区注入到N-区的空穴数量，这样就可以通过较少的复合中心达到足够的反向恢复速度；同时，参与电导调制空穴数量的减少，使压降的温度系数接近于零，更易于并联。

主权项

一种快速恢复二极管，所述快速恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，其特征在于，所述衬底为非均匀掺杂的N型硅衬底，所述N型硅衬底包括从下到上依次分布的衬底N‑层以及衬底N+层；所述P区包括从上到下依次排布的被腐蚀的P+区和P+区，所述P+区和衬底N‑层形成P+N‑结。