发明名称 |
将储能器件集成到衬底上以用于微电子和移动设备 |
摘要 |
在本发明的一个实施例中,描述一种储能器件,其包括一对导电多孔机构,其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔,并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中,在衬底上形成导电多孔结构,其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中,并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中,电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。 |
申请公布号 |
CN103988271A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201180075699.2 |
申请日期 |
2011.12.21 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
D.S.加纳;C.L.平特;C.W.霍尔斯瓦特;金薇;陈朝晖;J.L.古斯塔夫森 |
分类号 |
H01G4/005(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/005(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
杨美灵;汤春龙 |
主权项 |
一种储能器件,其包括: 一对多孔半导体结构,每个多孔半导体结构包含装填到多个细孔中的电解质;以及固态或半固态电解质层,所述固态或半固态电解质层将所述一对多孔半导体结构分隔,并渗透所述一对多孔半导体结构。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |