发明名称 将储能器件集成到衬底上以用于微电子和移动设备
摘要 在本发明的一个实施例中,描述一种储能器件,其包括一对导电多孔机构,其中该导电多孔结构中每一个包含装填到多个细孔中的电解质。固态或半固态电解质层将此对导电多孔结构分隔,并渗透此对导电多孔结构的多个细孔。在本发明的实施例中,在衬底上形成导电多孔结构,其中导电多孔结构包含多个细孔。然后将电解质装填到多个细孔中,并在导电多孔结构上方形成电解质层。在一个实施例中,电解质层渗透导电多孔结构的多个细孔。
申请公布号 CN103988271A 申请公布日期 2014.08.13
申请号 CN201180075699.2 申请日期 2011.12.21
申请人 英特尔公司 发明人 D.S.加纳;C.L.平特;C.W.霍尔斯瓦特;金薇;陈朝晖;J.L.古斯塔夫森
分类号 H01G4/005(2006.01)I 主分类号 H01G4/005(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 杨美灵;汤春龙
主权项 一种储能器件,其包括: 一对多孔半导体结构,每个多孔半导体结构包含装填到多个细孔中的电解质;以及固态或半固态电解质层,所述固态或半固态电解质层将所述一对多孔半导体结构分隔,并渗透所述一对多孔半导体结构。
地址 美国加利福尼亚州