| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底上的第一导电线；以及覆盖第一导电线的第一成型层。第一导电线在相邻的第一导电线之间具有第一间隙和第二间隙。第一成型层的底表面和第一导电线的位于第一成型层的底表面之下的侧壁共同定义第一间隙。第一成型层的顶表面和第一导电线的位于第一成型层的顶表面之上的侧壁共同定义第二间隙。 | ||
| 申请公布号 | CN103985740A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201410032503.7 | 申请日期 | 2014.01.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李章熙;白宗玟;韩奎熙;崔吉铉;洪琮沅 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在衬底上的第一导电线；以及第一成型层，其覆盖所述第一导电线，所述第一导电线在相邻的第一导电线之间具有第一间隙和第二间隙，所述第一成型层的底表面和所述第一导电线的位于所述第一成型层的底表面之下的侧壁共同限定所述第一间隙，以及所述第一成型层的顶表面和所述第一导电线的位于所述第一成型层的顶表面之上的侧壁共同限定所述第二间隙。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||