金属互连结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种金属互连结构及其制造方法，利用前一金属互连层的回刻蚀形成的沟槽增大了碳纳米管的生长面积，更利于碳纳米管的高密度生长，由此形成的高密度碳纳米管可以作为后续通孔中再生长碳纳米管的生长源，提高了通孔中再生长碳纳米管的高密度，由此能够保证了通孔中生长出来的碳纳米管的密度，提高了金属互连结构的性能。

主权项

一种金属互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供形成有前一金属互连层和前一互连介质层的半导体衬底，所述金属互连层形成于所述前一互连介质层的沟槽中；对所述前一金属互连层进行回刻蚀；在回刻蚀后的前一层金属互连层上形成多个垂直的碳纳米管；在形成所述碳纳米管的器件表面上沉积中间介质层；在所述中间介质层中形成暴露部分碳纳米管顶部的通孔；在所述通孔中再生长碳纳米管；在包含有再生长碳纳米管的器件表面形成下一互连介质层；对所述下一互连介质层进行沟槽刻蚀后形成下一金属互连层。