发明名称 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置
摘要 本发明涉及有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置。本发明涉及用于液晶显示装置的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶显示装置。本发明的有源矩阵基板具备:基板;形成在基板上的栅极配线;和层间绝缘层,该层间绝缘层用于将形成在栅极配线上的其它层与栅极配线绝缘,在基板的一部分区域中,层间绝缘层不设置在栅极配线的上表面而使上表面露出,另一方面,在栅极配线的至少沿着长度方向的端面,层间绝缘层以与端面相接的方式设置在基板上。根据本发明,能够减少在有源矩阵基板的制造时和部件安装时的不良情况的产生,因此能够利用在追求低成本且高可靠性的液晶显示装置的制造中。
申请公布号 CN103984166A 申请公布日期 2014.08.13
申请号 CN201410222378.6 申请日期 2008.08.04
申请人 夏普株式会社 发明人 田中哲宪;伴厚志;妹尾亨;中村涉;嶋田幸峰
分类号 G02F1/1345(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I 主分类号 G02F1/1345(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种有源矩阵基板,其具备:基板;形成在所述基板上的具有2层以上的结构且各层的截面形状为锥形状的栅极电极;形成在该栅极电极上的其他层;和绝缘层,该有源矩阵基板的特征在于:在所述基板上形成有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管具有:形成在所述基板上的所述栅极电极;形成在所述栅极电极上的栅极绝缘膜和沟道半导体层;和分别与所述沟道半导体层单独连接的源极电极和漏极电极,在所述薄膜晶体管中,在所述栅极电极与所述栅极绝缘膜重叠的部分没有形成所述绝缘层,所述栅极电极的端部具有帽檐状地突出的部分,在所述基板的一部分区域中,在该栅极电极的上表面没有设置所述绝缘层,所述上表面露出,而在所述栅极电极中最上层的正下方的层的至少沿着长度方向的端面,所述绝缘层以与所述端面相接的方式设置在所述基板上,所述2层以上的结构的栅极电极的端面的凹的部分被所述绝缘层填埋。
地址 日本大阪府