一种具有PN结的MEMS电容开关

摘要

一种具有PN结的MEMS电容开关，属于电子技术领域。本发明在MEMS电容开关的上下驱动电极之间增加一个纵向PN结结构，开关在Up态时，上下驱动电极之间不施加驱动电压，电接触点与信号线不相接触；开关在Down态时，上驱动电极在驱动电压作用下下拉，电接触点与信号线接触，同时纵向半导体PN结处于反偏状态。本发明提供的具有PN结的MEMS电容开关，Down态工作时，不会产生电荷注入和积累现象，避免了上下驱动电极的粘结失效问题，又能使MEMS电容开关能够在足够的驱动电压下工作，从而能够保证电接触点与信号线的紧密接触，最终能够提高MEMS电容开关的可靠性和稳定性。

主权项

一种具有PN结的MEMS电容开关，包括悬臂梁(1)和设置于衬底基片(8)表面的两段信号线(7)，悬臂梁(1)的一端通过锚点(6)固定于衬底基片(8)上，悬臂梁(1)的另一端设置有能够将两段信号线(7)连接起来的电接触点(2)；在信号线(7)与锚点(6)之间的衬底基片(8)表面区域设置有下驱动电极(5)，对应的在悬臂梁(1)的锚点(6)与电接触点(2)之间的区域设置有上驱动电极(3)，在上下驱动电极之间存在一个由P型半导体(4‑1)和N型半导体(4‑2)构成的纵向半导体PN结；在MEMS电容开关的Up态，在上下驱动电极之间不施加直流偏置驱动电压，上驱动电极不产生下拉过程，电接触点(2)与两段信号线(7)不相接触；在MEMS电容开关的Down态，由于上下驱动电极之间施加有直流偏置驱动电压，上驱动电极(3)在静电力作用下被拉下使得电接触点(2)与信号线(7)紧密接触并将两段信号线(7)连接起来，同时纵向半导体PN结处于反偏状态，即纵向半导体PN结中P型半导体(4‑1)与低电压驱动电极相接触，而N型半导体(4‑2)与高电压驱动电极相接触。