一种提高静态随机储存器读出冗余度的方法

摘要

本发明一种提高静态随机储存器读出冗余度的方法，其中，包括以下工艺，通过移除控制管的多晶硅预注入工艺，降低了控制管的多晶硅掺杂浓度，增大了控制管的等效电阻，提高了随机存储器读出冗余度。通过本发明一种提高静态随机储存器读出冗余度的方法，能够通过不再对控制管区域进行预注入，有效地使控制管多晶硅栅的掺杂浓度降低，从而增大了多晶硅栅的寄生电阻以及多晶硅栅耗尽现象，导致控制管的阈值电压增加，开启电流减小，同时增大了控制管的等效电阻，在读取过程中，降低了节点8的电位，从而提高了随机存储器的读出冗余度。

主权项

一种提高静态随机储存器读出冗余度的方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤一，在版图上生成NMOS多晶硅栅预注入光刻板，使得普通NMOS区域被打开，并使SRAM版图中控制管区域被覆盖，下拉管区域被打开；步骤二，在版图上生成PMOS多晶硅栅预注入光刻板，使得普通PMOS区域和SRAM版图中上拉管被打开；步骤三，利用NMOS多晶硅栅预注入光刻板进行多晶硅栅预注入工艺，对普通NMOS区域和SRAM版图中下拉管区域进行第五族元素的注入；步骤四，利用PMOS多晶硅栅预注入光刻版进行多晶硅栅预注入工艺，对普通PMOS区域和SRAM版图中上拉管区域进行第三族元素的注入，以完成最后的注入工艺。