发明名称 |
半导体装置和显示装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置和显示装置,其目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括:设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜;在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜;在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜;以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。 |
申请公布号 |
CN103985763A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410196055.4 |
申请日期 |
2008.12.02 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;后藤裕吾;村川努 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:具有挠性的衬底上的第一岛状膜,在所述第一岛状膜和所述衬底之间夹有第一绝缘膜;所述第一岛状膜上的半导体膜;所述半导体膜上的栅电极,在所述半导体膜和所述栅电极之间夹有栅极绝缘膜;以及所述栅电极上的第二岛状膜,所述第二岛状膜上的第二绝缘膜,所述第二绝缘膜上的导电膜,其中,所述半导体膜的整个区域与所述第一岛状膜重叠,其中,所述第二岛状膜与所述栅电极重叠,其中,在所述第二绝缘膜中设置有开口部,且其中,所述导电膜通过所述开口部电连接于所述半导体膜。 |
地址 |
日本神奈川县 |