发明名称 |
一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法,省去晶硅衬底制绒步骤,采用等离子体浸没离子注入技术对作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理,得到具有绒面结构的第一透明导电氧化物薄膜,以起到较强的减反作用。因此与现有硅异质结太阳能电池制备方法相比,不仅简化了制备工艺,减少了晶硅表面制绒后引进的杂质沾污和光生载流子复合,并且由于晶硅衬底没有绒面结构,较平坦的晶硅衬底表面为后续各膜层的形成提供了良好的基础,使各膜层的质量提高,从而可以进一步提高电池的性能。 |
申请公布号 |
CN103985777A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410213259.4 |
申请日期 |
2014.05.20 |
申请人 |
新奥光伏能源有限公司 |
发明人 |
赵冠超;杨荣;何延如;谷士斌;温转萍;李立伟;孟原;郭铁 |
分类号 |
H01L31/072(2012.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/072(2012.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种硅异质结太阳能电池,其特征在于,包括:晶硅衬底,在所述晶硅衬底的入光侧依次设置的第一非晶硅层、作为前电极的第一透明导电氧化物薄膜和栅线电极,以及在所述晶硅衬底的背光侧依次设置的第二非晶硅层和背电极;其中,所述第一透明导电氧化物薄膜背离所述晶硅衬底的一侧,具有通过采用等离子体浸没离子注入技术对所述第一透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理后形成的绒面结构。 |
地址 |
065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号 |