| 发明名称 | 2级存储器分级结构中的存储器侧高速缓存的动态部分断电 | ||
| 摘要 | 描述用于刷新多级存储器分级结构中的存储器侧高速缓存(MSC)的所指定区域的系统和方法。例如，按照一个实施例的计算机系统包括：存储器子系统，包括非易失性系统存储器和用于缓存非易失性系统存储器的部分的易失性存储器侧高速缓存(MSC)；以及刷新引擎，用于响应与MSC的所指定区域关联的停用条件而将MSC的所指定区域刷新到非易失性系统存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN103988183A | 申请公布日期 | 2014.08.13 |
| 申请号 | CN201180075654.5 | 申请日期 | 2011.12.20 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R.K.拉马努詹;G.J.欣顿;D.J.齐默曼 |
| 分类号 | G06F12/08(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 杨美灵;汤春龙 |
| 主权项 | 一种计算机系统，包括：存储器子系统，包括非易失性系统存储器和用于缓存所述非易失性系统存储器的部分的易失性存储器侧高速缓存(MSC)；以及刷新引擎，用于响应与所述MSC的所指定区域关联的停用条件而将所述MSC的所指定区域刷新到所述非易失性系统存储器。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||