发明名称 |
掺锑的氧化锡包覆二氧化钛复合导电材料及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种掺锑的氧化锡包覆二氧化钛复合导电材料及制备方法。所述复合导电材料,由包覆层掺锑的二氧化锡的摩尔含量与二氧化钛的摩尔百分含量比为:(0.3~0.9):1组成。其制备方法过程包括:将二氧化钛加入到去离子水中配制成摩尔浓度为10~20%悬浮液1,将结晶四氯化锡和三氯化锑加入到盐酸溶液中配成溶液2,将氢氧化钠加入到去离子水中配制成溶液3,将三种溶液混合,陈化反应后经离心、洗涤、干燥、煅烧得到复合导电材料。本发明具有如下优点:共沉淀法制备的复合导电材料,合成工艺简单,制备的粉体成分均匀、纯度较高、化学计量比可控制,制备出的导电粉体材料纯度高,颜色浅,粒径小,分散性好。 |
申请公布号 |
CN103985430A |
申请公布日期 |
2014.08.13 |
申请号 |
CN201410229992.5 |
申请日期 |
2014.05.28 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
郑冀;王英;蒋菲;张萌 |
分类号 |
H01B1/08(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B1/08(2006.01)I |
代理机构 |
天津市杰盈专利代理有限公司 12207 |
代理人 |
王小静 |
主权项 |
一种掺锑的氧化锡包覆二氧化钛复合导电材料,其特征在于,该复合导电材料包覆层为掺锑的氧化锡,其中,锑的摩尔百分含量为:1~9%;氧化锡的摩尔百分含量为:1~99%;包覆层内为二氧化钛,其中,包覆层掺锑的二氧化锡的摩尔含量与二氧化钛的摩尔百分含量比为:(0.3~0.9):1。 |
地址 |
300072 天津市南开区卫津路92号 |