| 发明名称 |
蚀刻方法、半导体装置的制造方法及蚀刻装置 |
| 摘要 |
一种蚀刻方法，系包括：施加辐射至蚀刻水溶液；以及藉由被该辐射照射之该蚀刻水溶液对被蚀刻之材料进行蚀刻。 |
| 申请公布号 |
TWI449099 |
申请公布日期 |
2014.08.11 |
| 申请号 |
TW101105965 |
申请日期 |
2012.02.23 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 日本 |
发明人 |
尾崎史朗;武田正行 |
| 分类号 |
H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种蚀刻方法，系包括下列步骤：设置蚀刻槽；设置由触媒形成之触媒层，该触媒层设置在该蚀刻槽之上方内壁、该蚀刻槽之侧部内壁和该蚀刻槽之底部内壁上；施加辐射至被填入该蚀刻槽中的蚀刻水溶液；以及藉由使用被该辐射照射之该蚀刻水溶液蚀刻被蚀刻之材料。 |
| 地址 |
日本 |
